Este estudo objetivou avaliar o desenvolvimento de Bixa orellana L. em condições de viveiro sob efeito da inoculação micorrízica e adubação fosfatada. As plantas foram cultivadas em sacos de polietileno com 0,18 X 0,30 m e capacidade de 1,3 kg de substrato. O delineamento experimental utilizado foi inteiramente casualizado com seis tratamentos e trinta repetições. As dosagens de fósforo utilizadas foram 0, 4.200 e 8.400 g m-3 de substrato. O fungo micorrízico arbuscular (FMA) da espécie Glomus clarum, foi utilizado em metade dos tratamentos (com e sem micorrizas) com inoculação de 2 g do fungo. As avaliações ocorreram 30, 60, 90 e 120 dias após a emergência das plântulas. Determinou-se a massa seca de folhas, área foliar, massa seca total, razão de área foliar, área foliar específica, taxa assimilatória líquida, taxa de crescimento relativo e taxa de crescimento absoluto. O fungo micorrízico facilita a absorção de fósforo pelo urucum, atendendo a sua exigência em relação ao nutriente. A dose de fósforo de 4.200 g m-3 em associação com FMA Glomus clarum ou 8.400 g m-3, com ou sem essa associação, são indicadas para o crescimento de plantas de urucum em viveiro, por promoverem adequadas respostas dos índices fisiológicos, contribuindo com seu desenvolvimento

This study aimed to evaluate the development of Bixa orellana L. under nursery conditions and subjected to the effects of mycorrhizal inoculation and phosphate fertilization. The plants were grown in polyethylene bags with dimensions of 0.18 x 0.30 m and capacity of 1.3 kg substrate. The adopted experimental design was completely randomized with six treatments and thirty replicates. The used phosphorus levels were 0, 4.200 and 8.400 g m-3 substrate. The arbuscular mycorrhizal fungus (AMF) of the species Glomus clarum was used in half of the treatments (with and without mycorrhizae) with inoculation of 2 g of the fungus. Evaluations occurred at 30, 60, 90 and 120 days after the emergence of seedlings. Leaf dry mass, leaf area, total dry mass, leaf area ratio, specific leaf area, net assimilation rate, relative growth rate and absolute growth rate were determined. The mycorrhizal fungus facilitates phosphorus uptake by annatto, fulfilling its requirement for the nutrient. The phosphorus level of 4.200 g m-3 in association with Glomus clarum or 8.400 g m-3, with or without this association, are indicated for annatto plant growth in nurseries since they promote appropriate responses of physiological indexes, contributing to the plant development

O objetivo deste trabalho foi determinar o tempo ótimo de escarificação das sementes de Senna alata em ácido sulfúrico e verificar o efeito da temperatura, em condição de luz e escuro, na germinação de sementes dessa espécie. As sementes foram imersas em ácido sulfúrico concentrado por períodos de 0, 15, 30 e 60 minutos, e o teste de germinação realizado em BOD a 25ºC, utilizando quatro repetições de 50 sementes em cada período de tempo, sendo o delineamento estatístico inteiramente casualizado com 4 tratamentos. No segundo experimento, para verificar o efeito da temperatura e da condição de luz mais adequada a germinação, utilizou-se temperaturas de 10 a 45ºC, com intervalos de 5ºC, em condição de luz fluorescente branca ou escuro contínuo (gerbox preto). Utilizou-se o delineamento experimental inteiramente casualizado, disposto em esquema fatorial 8x2, com 4 repetições, de 50 sementes cada. Em todos os testes as avaliações da porcentagem e índice de velocidade de germinação foram feitas diariamente, durante 10 dias, onde as sementes foram consideradas germinadas quando apresentaram 2 mm de raiz. Os dados foram submetidos à análise de variância e as médias comparadas pelo teste de Tukey a 5% de probabilidade. A escarificação do tegumento com ácido sulfúrico durante 60 minutos, foi ideal para as sementes de Senna alata, por proporcionar maiores valores na porcentagem e velocidade de germinação. A germinação ocorre entre 15 e 40ºC, sendo consideradas fotoblásticas neutras entre 20 e 40ºC e fotoblásticas negativas preferenciais a 15ºC. O melhor desempenho germinativo foi obtido nas temperaturas de 25, 30 e 35ºC, onde ocorreram maior porcentagem e velocidade de germinação.

The aim of this study was to establish the optimum scarification time for Senna alata seeds in sulfuric acid, as well as to verify the effect of temperature on seed germination for this species under conditions of light and darkness. Seeds were immersed in concentrated sulfuric acid for periods of 0, 15, 30 and 60 minutes, and the germination test was carried out in a BOD chamber at 25ºC, using four replicates of 50 seeds for each time period. Experimental design was completely randomized with 4 treatments. In the second experiment, temperatures from 10 to 45ºC, with 5ºC intervals, were used under conditions of fluorescent white light or continuous darkness (black "gerbox") in order to verify the temperature effect and the most suitable light condition for germination. Experimental design was completely randomized, in an 8x2 factorial arrangement, with 4 replicates of 50 seeds each. In all tests, germination percentage and speed index were daily evaluated for 10 days. Seeds were considered germinated when the radicle length was 2 mm. Data were subjected to analysis of variance and means were compared by Tukey's test at 5% significance. The tegument scarification with sulfuric acid for 60 minutes was optimal for Senna alata seeds since it led to higher values of germination percentage and speed. Germination occurs between 15 and 40ºC, and seeds are considered neutral photoblastic between 20 and 40ºC and negative photoblastic especially at 15ºC. The best germination performance was observed at 25, 30 and 35ºC, at which germination percentage and speed were higher.

Objetiva-se com este trabalho avaliar o efeito do estresse salino com NaCl e CaCl2 nos potenciais osmóticos 0 (controle); -0,2; -0,3 e -0,4 MPa com e sem aplicação da poliamina putrescina nas concentrações de 5 mM e 10 mM. As sementes de E. schomburgkii foram previamente escarificadas com lixa, no lado oposto à radícula, tratadas com fungicidas e colocadas para germinar nos diferentes tratamentos, à temperatura de 30ºC, sendo utilizadas quatro repetições de 25 sementes. Foi utilizado o delineamento inteiramente casualizado, em esquema fatorial 2 x 4 (agentes salinos x potenciais). No segundo experimento realizado após 11 meses, foram adicionadas as concentrações de 5 e 10 mM de putrescina. Foi utilizado o delineamento inteiramente casualizado, disposto em esquema fatorial 2 x 4 x 2 (agentes salinos x potenciais osmóticos x concentrações de putrescina). As sementes foram avaliadas quanto a porcentagem de germinação e índice de velocidade de germinação (IVG). Menor porcentagem de germinação e IVG foram observadas à medida que os potenciais se tornam mais negativos quando as sementes foram submetidas ao estresse salino com CaCl2. A aplicação de putrescina promoveu aumento na porcentagem de germinação e IVG sob os potenciais mais negativos, com maiores valores na concentração de 5 mM.

The aim of this work was to evaluate the effects of salt stress by using NaCl and CaCl2 at the following osmotic potentials: 0 (control), -0.2, -0.3, and -0.4 MPa with and without putrescine application at 5 mM and 10 mM. E. Schomburgkii seeds were previously scarified with sandpaper in the region opposite to the radicle, treated with fungicides and allowed to germinate in the different treatments at 30ºC. The experimental design was completely randomized, in a 2x4 (osmotic potentials x saline agents) factorial arrangement, with four replicates of 25 seeds each. After 11 months, a second experiment was carried out, in which putrescine concentrations of 5 and 10 mM were added and the experimental design was completely randomized, in a 2x4x2 (osmotic potentials x saline agents x putrescine concentrations) factorial arrangement. Germination percentage and velocity index (GVI) were evaluated. Germination percentage and GVI increased with lower potentials in seeds subjected to salt stress with CaCl2. Putrescine application (5mM) increased germination percentage and GVI at the most negative potentials.